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IRF6668TRPBF

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  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
  • 标准包装:4,800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:55A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1320pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6668TRPBFTR
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    深圳市三芯半导体有限公司
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